江苏有为光子科技有限公司

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工作原理：

晶体硅太阳电池中少数载流子的复合导致了光生载流子的损失，从而引起电池效率的降低。如果在硅表面加一层氧化层，硅与氧化层之间的内表面上绝大部分硅原子的未饱和键将被氧化层中的原子所填补，因而降低表面态密度。SiO2层可以有效地减少表面态，减少表面复合，从而起到钝化作用。由于短波长光在电池的上表面很浅的薄层内有很大的吸收，因此为了更好地降低电池的上表面复合速率，提高电池的短波响应，同时考虑SiO2的表面钝化特性以及PECVD法沉积SiNx良好的减反射以及体钝化特点，可采用硅片表面先生长一层SiO2薄膜，然后在SiO2薄膜上再生长一层SiNx的工艺，这样也可克服SiNx直接沉积于硅片所产生的附着力差，容易脱落的问题。该工艺具有卓越的抗氧化和绝缘性能，以及良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸气扩散的能力。

常规制备 SiO2时需要高温条件，长时间的高温条件易使质量较差的单晶及多晶硅衬底产生缺陷，导致硅片少子寿命的下降，并引起衬底掺杂浓度的再分布。许多有害杂质也会在高温条件下扩散到硅片体内。本晶体硅电池片光氧化系统配置了新型准分子紫外光源，能发射高能单色真空紫外光子，作用于氧气分子产生活性氧原子，能实现在传统紫外光源下难以实现的化学反应，光氧化速率比用低压汞灯紫外光的快10倍以上。生成的膜质量可与热生长的SiO2膜的质量比拟。

独特优势：

□ 新型准分子真空紫外光处理技术；

□ 高效快速氧化，适于电池片规模量产；

□ 低温大面积加工过程，无损处理技术；

□ 工件可在大气中进行处理，便于生产线作业；

□ 光源可瞬间开启和熄灭，节省工艺时间；

□ 可同时清除晶体硅表面的碳和有机污染物；

□ 安装角度灵活方便，操作使用简单；

□ 保证产品的高可靠性和高成品率；

□ 产品表面处理的均匀一致;

□ 干式工艺，无溶剂挥发及废弃溶剂的处理问题；

主要技术指标：

晶体硅电池片光氧化系统